Címke: Nav Dél-Alföldi Bűnügyi Igazgatósága | Hiros.Hu / Bipolaris Tranzisztor Karakterisztika
Hivatali vesztegetés elfogadása és más bűncselekmények miatt öt embert őrizetbe vettek, az egyik gyanúsított a Nemzeti Adó- és Vámhivatal osztályvezetője – közölte a Központi Nyomozó Főügyészség (KNYF) főügyésze. Nav bűnügyi hírek index. Keresztes Imre közleményében azt írta, hogy a hivatali vesztegetés elfogadásának – vezető beosztású személy által elkövetett – bűntette és más bűncselekmény miatt indult nyomozásban a KNYF ügyészei a NAV bűnügyi főigazgatóságával szorosan együttműködve öt embert hallgattak ki gyanúsítottként csütörtökön. Egyikük a NAV közép-magyarországi bűnügyi igazgatóságának osztályvezetője. A főügyész közölte azt is, hogy a gyanúsítottakat kényszerítőeszközök alkalmazása nélkül állították elő, valamennyien szabadlábon védekeznek. /MTI/
Nav Bűnügyi Hire Cars
Belépett felhasználóink egy egész évre visszamenően kereshetnek a Hírstart adatbázisában. Mit kapok még, ha regisztrálok? Hírstart Források: Témák: Időszak: Keresés a bevezető szövegekben (lead) is Találatok: 0 hír Bevezető szöveg megjelenítése Opciók Sajnos nem találtunk a keresési kritériumoknak megfelelő hírt. Kérjük bővítse a keresést!
A Központi Nyomozó Főügyészség bűnszövetségben és üzletszerűen elkövetett hivatali vesztegetés bűntette és más bűncselekmények miatt emelt vádat a hét ember ellen a Fővárosi Törvényszéken. Mivel házkutatásoknál engedély nélkül tartott lőfegyvert, lőszereket és egy hangtompítót is lefoglaltak, az egyik vádlottat időközben felfüggesztett szabadságvesztésre ítélték. PRIVÁT KOPÓ bűnügyi magazin. Ha kommentelni, beszélgetni, vitatkozni szeretnél, vagy csak megosztanád a véleményedet másokkal, a Facebook-oldalán teheted meg. Ha bővebben olvasnál az okokról, itt találsz válaszokat.
A bipoláris tranzisztor (ezt a tranzisztortípust nevezik egyszerűen tranzisztornak) egy kisméretű monokristály darabon létrehozott két azonos, és közte egy vékony, ezzel ellentétes vezetési típusú rétegből áll. Minden réteg rezisztív érintkezővel van ellátva. A két lehetséges felépítés: p-n-p illetve n-p-n tranzisztor. Az n-p-n tranzisztort feszültségmentes állapotban az 1. ábra mutatja. Mindkét p-n átmenetnél hasonló kiürített réteg jön létre, mint a dióda esetében. 1. ábra: n-p-n tranzisztor feszültségmentes állapotban A tranzisztor elektródái az emitter (E), bázis (B), és a kollektor (C, magyar szövegben néha: K). Sulinet Tudásbázis. Sokszor az emitter-bázis réteg között kialakult diódát "emitterdiódának", a kollektor-bázis réteg közötti diódát "kollektordiódának" nevezik. A tranzisztor működéséhez az szükséges, hogy emitterdiódája nyitó irányban, kollektordiódája záró irányban legyen előfeszítve (2. ábra). 2. ábra: n-p-n tranzisztor előfeszített állapotban A bázisra az emitterhez képest nyitó irányú feszültséget kapcsolnak.
Bipoláris Tranzisztor – Hamwiki
Keresés Súgó Lorem Ipsum Bejelentkezés Regisztráció Felhasználási feltételek Hibakód: SDT-LIVE-WEB1_637849954962685248 Hírmagazin Pedagógia Hírek eTwinning Tudomány Életmód Tudásbázis Magyar nyelv és irodalom Matematika Természettudományok Társadalomtudományok Művészetek Sulinet Súgó Sulinet alapok Mondd el a véleményed! Impresszum Médiaajánlat Oktatási Hivatal Felvi Diplomán túl Tankönyvtár EISZ KIR 21. Bipoláris tranzisztor – HamWiki. századi közoktatás - fejlesztés, koordináció (TÁMOP-3. 1. 1-08/1-2008-0002)
Sulinet TudáSbáZis
A 6. ábra különféle teljesítményű és tokozású tranzisztorokat mutat. Bal oldalon kis teljesítményű, felül műanyag, alatta fém tokozású tranzisztort láthatunk. A fölső sorban balról a második egy valamivel nagyobb teljesítményű fémtokos tranzisztor (erre a tokra szükség esetén hűtőcsillag húzható). Az alatta látható műanyag tokozású tranzisztor igen nagy frekvenciákra készült. Az ábra jobb oldalán három, közepes, ill. nagyobb teljesítményű tranzisztort láthatunk két nézetben. Figyeljük meg, hogy a teljesítménnyel nő a méret, és annak a fém felületnek a mérete is, amely a hűtőbordával érintkezhet (a tranzisztor fém részén lévő lyuk teszi lehetővé a hűtőbordára csavarral való felszerelést). A tranzisztor fém hűtőfelülete a kollektorral van összekötve, ezért ha a hűtőborda nem kerülhet a kollektor potenciáljára, elektromosan szigetelve kell felerősíteni. Ilyenkor a hűtőborda és a tranzisztor közé hővezető pasztával bekent csillám szigetelőlemezt helyeznek, a felerősítő csavart a tranzisztor fém részétől e célra szolgáló hengeres műanyag szerelvénnyel szigetelik.